WSD30350DN56G N-kanal 30V 350A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

produkter

WSD30350DN56G N-kanal 30V 350A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

kort beskrivelse:

Delenummer:WSD30350DN56G

BVDS:30V

ID:350A

RDSON:0,48 mΩ 

Kanal:N-kanal

Pakke:DFN5X6-8


Produktdetaljer

Søknad

Produktetiketter

WINSOK MOSFET produktoversikt

Spenningen til WSD30350DN56G MOSFET er 30V, strømmen er 350A, motstanden er 1,8mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET bruksområder

E-sigaretter MOSFET, trådløs lading MOSFET, droner MOSFET, medisinsk omsorg MOSFET, billadere MOSFET, kontrollere MOSFET, digitale produkter MOSFET, små husholdningsapparater MOSFET, forbrukerelektronikk MOSFET.

MOSFET-parametere

Symbol

Parameter

Vurdering

Enheter

VDS

Drain-Source Spenning

30

V

VGS

Gate-Source Spenning

±20

V

ID@TC=25

Kontinuerlig dreneringsstrøm(Silicon Limited1,7

350

A

ID@TC=70

Kontinuerlig dreneringsstrøm (Silicon Limited1,7

247

A

IDM

Pulserende dreneringsstrøm2

600

A

EAS

Single Pulse Avalanche Energy3

1800

mJ

IAS

Skredstrøm

100

A

PD@TC=25

Total krafttap4

104

W

TSTG

Lagringstemperaturområde

-55 til 150

TJ

Driftskryss temperaturområde

-55 til 150

 

Symbol

Parameter

Forhold

Min.

Typ.

Maks.

Enhet

BVDSS

Drain-Source Breakdown Spenning VGS=0V, ID=250uA

30

---

---

V

BVDS/△TJ

BVDSSTemperaturkoeffisient Referanse til 25, jegD=1mA

---

0,022

---

V/

RDS(PÅ)

Statisk avløpskilde på-motstand2 VGS=10V, ID=20A

---

0,48

0,62

mΩ
VGS=4,5V, ID=20A

---

0,72

0,95

VGS(th)

Gateterskelspenning VGS=VDS, jegD=250uA

1.2

1.5

2.5

V

VGS(th)

VGS(th)Temperaturkoeffisient

---

-6.1

---

mV/

IDSS

Drain-Source Lekkasjestrøm VDS=24V, VGS=0V, TJ=25

---

---

1

uA

VDS=24V, VGS=0V, TJ=55

---

---

5

IGSS

Gate-kilde lekkasjestrøm VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Forovertranskonduktans VDS=5V, ID=10A

---

40

---

S

Rg

Portmotstand VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz

---

3.8

1.5

Ω

Qg

Total portlading (4,5V) VDS=15V, VGS=4,5V, ID=20A

---

89

---

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

37

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

20

---

Td(på)

Slå-på-forsinkelsestid VDD=15V, VGEN=10V ,

RG=1Ω, jegD=10A

---

25

---

ns

Tr

Oppgangstid

---

34

---

Td(av)

Utstengingstid

---

61

---

Tf

Høsttid

---

18

---

Ciss

Inngangskapasitans VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz

---

7845

---

pF

Coss

Utgangskapasitans

---

4525

---

Crss

Omvendt overføringskapasitans

---

139

---


  • Tidligere:
  • Neste:

  • Skriv din melding her og send den til oss