WSD30300DN56G N-kanal 30V 300A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Produkter

WSD30300DN56G N-kanal 30V 300A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Kort beskrivelse:

Delenummer:WSD30300DN56G

BVDS:30V

ID:300A

RDSON:0,7 mΩ 

Kanal:N-kanal

Pakke:DFN5X6-8


Produkt detalj

applikasjon

Produktetiketter

WINSOK MOSFET produktoversikt

Spenningen til WSD20100DN56 MOSFET er 20V, strømmen er 90A, motstanden er 1,6mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET bruksområder

Elektroniske sigaretter MOSFET, droner MOSFET, elektrisk verktøy MOSFET, fascia pistoler MOSFET, PD MOSFET, små husholdningsapparater MOSFET.

WINSOK MOSFET tilsvarer andre merkevarenummer

AOS MOSFET AON6572.

POTENS Semiconductor MOSFET PDC394X.

MOSFET-parametere

Symbol

Parameter

Vurdering

Enheter

VDS

Drain-Source Spenning

20

V

VGS

Gate-kilde spenning

±12

V

ID@TC=25℃

Kontinuerlig dreneringsstrøm1

90

A

ID@TC=100℃

Kontinuerlig dreneringsstrøm1

48

A

IDM

Pulserende dreneringsstrøm2

270

A

EAS

Single Pulse Avalanche Energy3

80

mJ

IAS

Skredstrøm

40

A

PD@TC=25℃

Total krafttap4

83

W

TSTG

Lagringstemperaturområde

-55 til 150

TJ

Driftskryss temperaturområde

-55 til 150

RθJA

Termisk motstand Junction-ambient1(t10S)

20

/W

RθJA

Termisk motstand Junction-ambient1(Stabil)

55

/W

RθJC

Termisk motstand Junction-koffert1

1.5

/W

 

Symbol

Parameter

Forhold

Min

Typ

Maks

Enhet

BVDS

Drain-Source Breakdown Spenning VGS=0V, ID=250uA

20

23

---

V

VGS(th)

Gateterskelspenning VGS=VDS , ID =250uA

0,5

0,68

1.0

V

RDS(PÅ)

Statisk avløpskilde på-motstand2 VGS=10V, ID=20A

---

1.6

2.0

RDS(PÅ)

Statisk avløpskilde på-motstand2 VGS=4,5V, ID=20A  

1.9

2.5

RDS(PÅ)

Statisk avløpskilde på-motstand2 VGS=2,5V, ID=20A

---

2.8

3.8

IDSS

Drain-Source Lekkasjestrøm VDS=16V, VGS=0V, TJ=25

---

---

1

uA

VDS=16V, VGS=0V, TJ=125

---

---

5

IGSS

Gate-kilde lekkasjestrøm VGS=±10V, VDS=0V

---

---

±10

uA

Rg

Portmotstand VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz

---

1.2

---

Ω

Qg

Total portlading (10V) VDS=15V, VGS=10V, ID=20A

---

77

---

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

8.7

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

14

---

Td(på)

Slå-på-forsinkelsestid VDD=15V , VGS=10V , RG=3 ,

ID=20A

---

10.2

---

ns

Tr

Oppgangstid

---

11.7

---

Td(av)

Utstengingstid

---

56,4

---

Tf

Fall tid

---

16.2

---

Ciss

Inngangskapasitans VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz

---

4307

---

pF

Coss

Utgangskapasitans

---

501

---

Crss

Omvendt overføringskapasitans

---

321

---

IS

Kontinuerlig kildestrøm1,5 VG=VD=0V , kraftstrøm

---

---

50

A

VSD

Diode fremoverspenning2 VGS=0V, IS=1A, TJ=25

---

---

1.2

V

trr

Omvendt gjenopprettingstid IF=20A, di/dt=100A/µs,

TJ=25

---

22

---

nS

Qrr

Reverse Recovery Charge

---

72

---

nC


  • Tidligere:
  • Neste:

  • Skriv din melding her og send den til oss