WSD30300DN56G N-kanal 30V 300A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktoversikt
Spenningen til WSD20100DN56 MOSFET er 20V, strømmen er 90A, motstanden er 1,6mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET bruksområder
Elektroniske sigaretter MOSFET, droner MOSFET, elektrisk verktøy MOSFET, fascia pistoler MOSFET, PD MOSFET, små husholdningsapparater MOSFET.
WINSOK MOSFET tilsvarer andre merkevarenummer
AOS MOSFET AON6572.
POTENS Semiconductor MOSFET PDC394X.
MOSFET-parametere
| Symbol | Parameter | Vurdering | Enheter |
| VDS | Drain-Source Spenning | 20 | V |
| VGS | Gate-kilde spenning | ±12 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuerlig dreneringsstrøm1 | 90 | A |
| ID@TC=100℃ | Kontinuerlig dreneringsstrøm1 | 48 | A |
| IDM | Pulserende dreneringsstrøm2 | 270 | A |
| EAS | Single Pulse Avalanche Energy3 | 80 | mJ |
| IAS | Skredstrøm | 40 | A |
| PD@TC=25℃ | Total krafttap4 | 83 | W |
| TSTG | Lagringstemperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
| TJ | Driftskryss temperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
| RθJA | Termisk motstand Junction-omgivelsestemperatur1(t≦10S) | 20 | ℃/W |
| RθJA | Termisk motstand Junction-omgivelsestemperatur1(Stady State) | 55 | ℃/W |
| RθJC | Termisk motstand Junction-koffert1 | 1.5 | ℃/W |
| Symbol | Parameter | Forhold | Min | Typ | Maks | Enhet |
| BVDS | Drain-Source Breakdown Spenning | VGS=0V, ID=250uA | 20 | 23 | --- | V |
| VGS(th) | Gateterskelspenning | VGS=VDS , ID =250uA | 0,5 | 0,68 | 1.0 | V |
| RDS(PÅ) | Statisk avløpskilde på-motstand2 | VGS=10V, ID=20A | --- | 1.6 | 2.0 | mΩ |
| RDS(PÅ) | Statisk avløpskilde på-motstand2 | VGS=4,5V, ID=20A | 1.9 | 2.5 | mΩ | |
| RDS(PÅ) | Statisk avløpskilde på-motstand2 | VGS=2,5V, ID=20A | --- | 2.8 | 3.8 | mΩ |
| IDSS | Drain-Source Lekkasjestrøm | VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=16V, VGS=0V, TJ=125℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-kilde lekkasjestrøm | VGS=±10V, VDS=0V | --- | --- | ±10 | uA |
| Rg | Portmotstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.2 | --- | Ω |
| Qg | Total portlading (10V) | VDS=15V, VGS=10V, ID=20A | --- | 77 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 8.7 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 14 | --- | ||
| Td(på) | Slå-på-forsinkelsestid | VDD=15V , VGS=10V , RG=3 , ID=20A | --- | 10.2 | --- | ns |
| Tr | Oppgangstid | --- | 11.7 | --- | ||
| Td(av) | Utstengingstid | --- | 56,4 | --- | ||
| Tf | Høsttid | --- | 16.2 | --- | ||
| Ciss | Inngangskapasitans | VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4307 | --- | pF |
| Coss | Utgangskapasitans | --- | 501 | --- | ||
| Crss | Omvendt overføringskapasitans | --- | 321 | --- | ||
| IS | Kontinuerlig kildestrøm1,5 | VG=VD=0V , kraftstrøm | --- | --- | 50 | A |
| VSD | Diode fremoverspenning2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1.2 | V |
| trr | Omvendt gjenopprettingstid | IF=20A, di/dt=100A/µs, TJ=25℃ | --- | 22 | --- | nS |
| Qrr | Reverse Recovery Charge | --- | 72 | --- | nC |
