WSD30160DN56 N-kanal 30V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktoversikt
Spenningen til WSD30160DN56 MOSFET er 30V, strømmen er 120A, motstanden er 1,9mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET bruksområder
E-sigaretter MOSFET, trådløs lading MOSFET, droner MOSFET, medisinsk omsorg MOSFET, billadere MOSFET, kontrollere MOSFET, digitale produkter MOSFET, små husholdningsapparater MOSFET, forbrukerelektronikk MOSFET.
WINSOK MOSFET tilsvarer andre merkevarenummer
AOS MOSFET AON6382,AON6384,AON644A,AON6548.
Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NTMFS4834N,NTMFS4C5N.
TOSHIBA MOSFET TPH2R93PL.
PANJIT MOSFET PJQ5426.
NIKO-SEM MOSFET PKE1BB.
POTENS Semiconductor MOSFET PDC392X.
MOSFET-parametere
| Symbol | Parameter | Vurdering | Enheter |
| VDS | Drain-Source Spenning | 30 | V |
| VGS | Gate-Source Spenning | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS@ 10V1,7 | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS@ 10V1,7 | 68 | A |
| IDM | Pulserende dreneringsstrøm2 | 300 | A |
| EAS | Single Pulse Avalanche Energy3 | 128 | mJ |
| IAS | Skredstrøm | 50 | A |
| PD@TC=25℃ | Total krafttap4 | 62,5 | W |
| TSTG | Lagringstemperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
| TJ | Driftskryss temperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Forhold | Min. | Typ. | Maks. | Enhet |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Spenning | VGS=0V, ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDS/△TJ | BVDSSTemperaturkoeffisient | Referanse til 25℃, JEGD=1mA | --- | 0,02 | --- | V/℃ |
| RDS(PÅ) | Statisk avløpskilde på-motstand2 | VGS=10V, ID=20A | --- | 1.9 | 2.5 | mΩ |
| VGS=4,5V, ID=15A | --- | 2.9 | 3.5 | |||
| VGS(th) | Gateterskelspenning | VGS=VDS, JEGD=250uA | 1.2 | 1.7 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperaturkoeffisient | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Lekkasjestrøm | VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-kilde lekkasjestrøm | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Forovertranskonduktans | VDS=5V, ID=10A | --- | 32 | --- | S |
| Rg | Portmotstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 0,8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Total portlading (4,5V) | VDS=15V, VGS=4,5V, ID=20A | --- | 38 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 10 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 13 | --- | ||
| Td(på) | Slå-på-forsinkelsestid | VDD=15V, VGEN=10V, RG=6Ω, JEGD=1A, RL=15Ω. | --- | 25 | --- | ns |
| Tr | Oppgangstid | --- | 23 | --- | ||
| Td(av) | Utstengingstid | --- | 95 | --- | ||
| Tf | Fall tid | --- | 40 | --- | ||
| Ciss | Inngangskapasitans | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4900 | --- | pF |
| Coss | Utgangskapasitans | --- | 1180 | --- | ||
| Crss | Omvendt overføringskapasitans | --- | 530 | --- |
