WSD30150DN56 N-kanal 30V 150A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

produkter

WSD30150DN56 N-kanal 30V 150A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

kort beskrivelse:

Delenummer:WSD30150DN56

BVDS:30V

ID:150A

RDSON:1,8 mΩ 

Kanal:N-kanal

Pakke:DFN5X6-8


Produktdetaljer

Søknad

Produktetiketter

WINSOK MOSFET produktoversikt

Spenningen til WSD30150DN56 MOSFET er 30V, strømmen er 150A, motstanden er 1,8mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET bruksområder

E-sigaretter MOSFET, trådløs lading MOSFET, droner MOSFET, medisinsk omsorg MOSFET, billadere MOSFET, kontrollere MOSFET, digitale produkter MOSFET, små husholdningsapparater MOSFET, forbrukerelektronikk MOSFET.

WINSOK MOSFET tilsvarer andre merkevarenummer

AOS MOSFET AON6512,AONS3234.

Onsemi,FAIRCHILD MOSFET FDMC81DCCM.

NXP MOSFET PSMN1R7-3YL.

TOSHIBA MOSFET TPH1R43NL.

PANJIT MOSFET PJQ5428.

NIKO-SEM MOSFET PKC26BB,PKE24BB.

POTENS Halvleder MOSFET PDC392X.

MOSFET-parametere

Symbol

Parameter

Vurdering

Enheter

VDS

Drain-Source Spenning

30

V

VGS

Gate-Source Spenning

±20

V

ID@TC=25

Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS@ 10V1,7

150

A

ID@TC=100

Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS@ 10V1,7

83

A

IDM

Pulserende dreneringsstrøm2

200

A

EAS

Single Pulse Avalanche Energy3

125

mJ

IAS

Skredstrøm

50

A

PD@TC=25

Total krafttap4

62,5

W

TSTG

Lagringstemperaturområde

-55 til 150

TJ

Driftskryss temperaturområde

-55 til 150

 

Symbol

Parameter

Forhold

Min.

Typ.

Maks.

Enhet

BVDSS

Drain-Source Breakdown Spenning VGS=0V, ID=250uA

30

---

---

V

BVDS/△TJ

BVDSSTemperaturkoeffisient Referanse til 25, jegD=1mA

---

0,02

---

V/

RDS(PÅ)

Statisk avløpskilde på-motstand2 VGS=10V, ID=20A

---

1.8

2.4 mΩ
VGS=4,5V, ID=15A  

2.4

3.2

VGS(th)

Gateterskelspenning VGS=VDS, jegD=250uA

1.4

1.7

2.5

V

VGS(th)

VGS(th)Temperaturkoeffisient

---

-6.1

---

mV/

IDSS

Drain-Source Lekkasjestrøm VDS=24V, VGS=0V, TJ=25

---

---

1

uA

VDS=24V, VGS=0V, TJ=55

---

---

5

IGSS

Gate-kilde lekkasjestrøm VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Forovertranskonduktans VDS=5V, ID=10A

---

27

---

S

Rg

Portmotstand VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz

---

0,8

1.5

Ω

Qg

Total portlading (4,5V) VDS=15V, VGS=4,5V, ID=30A

---

26

---

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

9.5

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

11.4

---

Td(på)

Slå-på-forsinkelsestid VDD=15V, VGEN=10V, RG=6Ω, jegD=1A, RL=15Ω.

---

20

---

ns

Tr

Oppgangstid

---

12

---

Td(av)

Utstengingstid

---

69

---

Tf

Høsttid

---

29

---

Ciss

Inngangskapasitans VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz 2560 3200

3850

pF

Coss

Utgangskapasitans

560

680

800

Crss

Omvendt overføringskapasitans

260

320

420


  • Tidligere:
  • Neste:

  • Skriv din melding her og send den til oss