WSD30140DN56 N-kanal 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

Produkter

WSD30140DN56 N-kanal 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

Kort beskrivelse:


  • Modellnummer:WSD30140DN56
  • BVDSS:30V
  • RDSON:1,7 mΩ
  • ID:85A
  • Kanal:N-kanal
  • Pakke:DFN5*6-8
  • Sommerlig produkt:Spenningen til WSD30140DN56 MOSFET er 30V, strømmen er 85A, motstanden er 1,7mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5*6-8.
  • Applikasjoner:Elektroniske sigaretter, trådløse ladere, droner, medisinsk behandling, billadere, kontrollere, digitale produkter, små apparater, forbrukerelektronikk, etc.
  • Produkt detalj

    applikasjon

    Produktetiketter

    Generell beskrivelse

    WSD30140DN56 er N-kanals MOSFET med høyest ytelse og svært høy celletetthet som gir utmerket RDSON- og portlading for de fleste synkrone buck-omformerapplikasjoner.WSD30140DN56 overholder RoHS og grønne produktkrav, 100 % EAS-garanti, full funksjonspålitelighet godkjent.

    Egenskaper

    Avansert trench-teknologi med høy celletetthet, ultralav portlading, utmerket CdV/dt-effektdempning, 100 % EAS-garanti, grønne enheter tilgjengelig

    applikasjoner

    Høyfrekvent belastningssynkronisering, buck-omformere, nettverksbaserte DC-DC-strømsystemer, elektriske verktøyapplikasjoner, elektroniske sigaretter, trådløs lading, droner, medisinsk behandling, billading, kontrollere, digitale produkter, små apparater, forbrukerelektronikk

    tilsvarende materialnummer

    AO AON6312, AON6358, AON6360, AON6734, AON6792, AONS36314.PÅ NTMFS4847N.VISHAY SiRA62DP.ST STL86N3LLH6AG.INFINEON BSC050N03MSG.TI CSD17327Q5A, CSD17327Q5A, CSD17307Q5A.NXP PH2520U.TOSHIBA TPH4R803PL TPH3R203NL.ROHM RS1E281BN, RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E301GN, RS1E321GN, RS1E350BN, RS1E350GN.PANJIT PJQ5410.AP AP3D5R0MT.NIKO PK610SA, PK510BA.POTENS PDC3803R

    Viktige parametere

    Symbol Parameter Vurdering Enheter
    VDS Drain-Source Spenning 30 V
    VGS Gate-kilde spenning ±20 V
    ID@TC=25℃ Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ 10V1,7 85 A
    ID@TC=70℃ Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ 10V1,7 65 A
    IDM Pulserende dreneringsstrøm2 300 A
    PD@TC=25℃ Totalt krafttap 4 50 W
    TSTG Lagringstemperaturområde -55 til 150
    TJ Driftskryss temperaturområde -55 til 150
    Symbol Parameter Forhold Min. Typ. Maks. Enhet
    BVDS Drain-Source Breakdown Spenning VGS=0V, ID=250uA 30 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS temperaturkoeffisient Referanse til 25 ℃, ID=1mA --- 0,02 --- V/℃
    RDS(PÅ) Statisk avløpskilde ved motstand2 VGS=10V, ID=20A --- 1.7 2.4
    VGS=4,5V, ID=15A 2.5 3.3
    VGS(th) Gateterskelspenning VGS=VDS , ID =250uA 1.2 1.7 2.5 V
    Drain-Source Lekkasjestrøm VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    IDSS VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5
    IGSS Gate-kilde lekkasjestrøm VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Forovertranskonduktans VDS=5V, ID=20A --- 90 --- S
    Qg Total portlading (4,5V) VDS=15V, VGS=4,5V, ID=20A --- 26 --- nC
    Qgs Gate-Source Charge --- 9.5 ---
    Qgd Gate-Drain Charge --- 11.4 ---
    Td(på) Slå-på-forsinkelsestid VDD=15V, VGEN=10V, RG=3Ω, RL=0,75Ω. --- 11 --- ns
    Tr Oppgangstid --- 6 ---
    Td(av) Utstengingstid --- 38,5 ---
    Tf Fall tid --- 10 ---
    Ciss Inngangskapasitans VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz --- 3000 --- pF
    Coss Utgangskapasitans --- 1280 ---
    Crss Omvendt overføringskapasitans --- 160 ---

  • Tidligere:
  • Neste:

  • Skriv din melding her og send den til oss