WSD30140DN56 N-kanal 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET
Generell beskrivelse
WSD30140DN56 er N-kanals MOSFET med høyest ytelse og svært høy celletetthet som gir utmerket RDSON- og portlading for de fleste synkrone buck-omformerapplikasjoner. WSD30140DN56 overholder RoHS og grønne produktkrav, 100 % EAS-garanti, full funksjonspålitelighet godkjent.
Funksjoner
Avansert trench-teknologi med høy celletetthet, ultralav portlading, utmerket CdV/dt-effektdempning, 100 % EAS-garanti, grønne enheter tilgjengelig
Søknader
Høyfrekvent belastningssynkronisering, buck-omformere, nettverksbaserte DC-DC-strømsystemer, applikasjoner for elektriske verktøy, elektroniske sigaretter, trådløs lading, droner, medisinsk behandling, billading, kontrollere, digitale produkter, små apparater, forbrukerelektronikk
tilsvarende materialnummer
AO AON6312, AON6358, AON6360, AON6734, AON6792, AONS36314. PÅ NTMFS4847N. VISHAY SiRA62DP. ST STL86N3LLH6AG. INFINEON BSC050N03MSG. TI CSD17327Q5A, CSD17327Q5A, CSD17307Q5A. NXP PH2520U. TOSHIBA TPH4R803PL TPH3R203NL. ROHM RS1E281BN, RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E301GN, RS1E321GN, RS1E350BN, RS1E350GN. PANJIT PJQ5410. AP AP3D5R0MT. NIKO PK610SA, PK510BA. POTENS PDC3803R
Viktige parametere
| Symbol | Parameter | Vurdering | Enheter |
| VDS | Drain-Source Spenning | 30 | V |
| VGS | Gate-kilde spenning | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ 10V1,7 | 85 | A |
| ID@TC=70℃ | Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ 10V1,7 | 65 | A |
| IDM | Pulserende dreneringsstrøm2 | 300 | A |
| PD@TC=25℃ | Totalt krafttap 4 | 50 | W |
| TSTG | Lagringstemperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
| TJ | Driftskryss temperaturområde | -55 til 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Forhold | Min. | Typ. | Maks. | Enhet |
| BVDS | Drain-Source Breakdown Spenning | VGS=0V, ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS temperaturkoeffisient | Referanse til 25 ℃, ID=1mA | --- | 0,02 | --- | V/℃ |
| RDS(PÅ) | Statisk avløpskilde ved motstand2 | VGS=10V, ID=20A | --- | 1.7 | 2.4 | mΩ |
| VGS=4,5V, ID=15A | 2.5 | 3.3 | ||||
| VGS(th) | Gateterskelspenning | VGS=VDS , ID =250uA | 1.2 | 1.7 | 2.5 | V |
| Drain-Source Lekkasjestrøm | VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA | |
| IDSS | VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | ||
| IGSS | Gate-kilde lekkasjestrøm | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Forovertranskonduktans | VDS=5V, ID=20A | --- | 90 | --- | S |
| Qg | Total portlading (4,5V) | VDS=15V, VGS=4,5V, ID=20A | --- | 26 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 9.5 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 11.4 | --- | ||
| Td(på) | Slå-på-forsinkelsestid | VDD=15V, VGEN=10V, RG=3Ω, RL=0,75Ω. | --- | 11 | --- | ns |
| Tr | Oppgangstid | --- | 6 | --- | ||
| Td(av) | Utstengingstid | --- | 38,5 | --- | ||
| Tf | Høsttid | --- | 10 | --- | ||
| Ciss | Inngangskapasitans | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3000 | --- | pF |
| Coss | Utgangskapasitans | --- | 1280 | --- | ||
| Crss | Omvendt overføringskapasitans | --- | 160 | --- |
