WSD20L120DN56 P-kanal -20V -120A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET
Generell beskrivelse
WSD20L120DN56 er en toppytende P-Ch MOSFET med en cellestruktur med høy tetthet, som gir suveren RDSON- og portlading for de fleste bruk av synkrone buck-omformere.WSD20L120DN56 oppfyller 100 % EAS-krav for RoHS og miljøvennlige produkter, med fullfunksjons pålitelighetsgodkjenning.
Egenskaper
1, Avansert trench-teknologi med høy celletetthet
2, Super lav portlading
3, Utmerket CdV/dt-effektnedgang
4, 100 % EAS-garantert 5, grønn enhet tilgjengelig
applikasjoner
Høyfrekvent Point-of-Load Synchronous Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA, Nettverk DC-DC Power System, Load Switch, E-sigarett, trådløs lader, motorer, droner, medisinsk, billader, kontroller, digitale produkter, Små hvitevarer, forbrukerelektronikk.
tilsvarende materialnummer
AOS AON6411,NIKO PK5A7BA
Viktige parametere
| Symbol | Parameter | Vurdering | Enheter | |
| 10s | Stabil | |||
| VDS | Drain-Source Spenning | -20 | V | |
| VGS | Gate-kilde spenning | ±10 | V | |
| ID@TC=25℃ | Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ -10V1 | -120 | A | |
| ID@TC=100℃ | Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ -10V1 | -69,5 | A | |
| ID@TA=25℃ | Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ -10V1 | -25 | -22 | A |
| ID@TA=70℃ | Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ -10V1 | -24 | -18 | A |
| IDM | Pulserende dreneringsstrøm2 | -340 | A | |
| EAS | Single Pulse Avalanche Energy3 | 300 | mJ | |
| IAS | Skredstrøm | -36 | A | |
| PD@TC=25℃ | Totalt krafttap 4 | 130 | W | |
| PD@TA=25℃ | Totalt krafttap 4 | 6.8 | 6,25 | W |
| TSTG | Lagringstemperaturområde | -55 til 150 | ℃ | |
| TJ | Driftskryss temperaturområde | -55 til 150 | ℃ | |
| Symbol | Parameter | Forhold | Min. | Typ. | Maks. | Enhet |
| BVDS | Drain-Source Breakdown Spenning | VGS=0V, ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS temperaturkoeffisient | Referanse til 25 ℃, ID=-1mA | --- | -0,0212 | --- | V/℃ |
| RDS(PÅ) | Statisk avløpskilde ved motstand2 | VGS=-4,5V, ID=-20A | --- | 2.1 | 2.7 | mΩ |
| VGS=-2,5V, ID=-20A | --- | 2.8 | 3.7 | |||
| VGS(th) | Gateterskelspenning | VGS=VDS, ID =-250uA | -0,4 | -0,6 | -1,0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) temperaturkoeffisient | --- | 4.8 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Lekkasjestrøm | VDS=-20V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-20V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | -6 | |||
| IGSS | Gate-kilde lekkasjestrøm | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Forovertranskonduktans | VDS=-5V, ID=-20A | --- | 100 | --- | S |
| Rg | Portmotstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2 | 5 | Ω |
| Qg | Total portlading (-4,5V) | VDS=-10V, VGS=-4,5V, ID=-20A | --- | 100 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 21 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 32 | --- | ||
| Td(på) | Slå-på-forsinkelsestid | VDD=-10V , VGEN=-4,5V , RG=3Ω ID=-1A,RL=0,5Ω | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | Oppgangstid | --- | 50 | --- | ||
| Td(av) | Utstengingstid | --- | 100 | --- | ||
| Tf | Fall tid | --- | 40 | --- | ||
| Ciss | Inngangskapasitans | VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4950 | --- | pF |
| Coss | Utgangskapasitans | --- | 380 | --- | ||
| Crss | Omvendt overføringskapasitans | --- | 290 | --- |
Skriv din melding her og send den til oss
