WSD20L120DN56 P-kanal -20V -120A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

kort beskrivelse:

Modellnummer:WSD20L120DN56

BVDSS:-20V

RDSON:2,1 mΩ

ID:-120A

Kanal:P-kanal

Pakke:DFN5*6-8

Sommerlig produkt:MOSFET WSD20L120DN56 fungerer ved -20 volt og trekker en strøm på -120 ampere. Den har en motstand på 2,1 milliohm, en P-kanal, og kommer i en DFN5*6-8-pakke.

Søknader:E-sigaretter, trådløse ladere, motorer, droner, medisinsk utstyr, billadere, kontrollere, digitale enheter, små apparater og forbrukerelektronikk.

Send e-post til oss PDF

Produktdetaljer

Søknad

Produktetiketter

Generell beskrivelse

WSD20L120DN56 er en toppytende P-Ch MOSFET med en cellestruktur med høy tetthet, som gir suveren RDSON- og portlading for de fleste bruk av synkrone buck-omformere. WSD20L120DN56 oppfyller 100 % EAS-krav for RoHS og miljøvennlige produkter, med fullfunksjons pålitelighetsgodkjenning.

Funksjoner

1, Avansert trench-teknologi med høy celletetthet
2, Super lav portlading
3, Utmerket CdV/dt-effektnedgang
4, 100 % EAS-garantert 5, grønn enhet tilgjengelig

Søknader

Høyfrekvent Point-of-Load Synchronous Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA, Nettverk DC-DC Power System, Load Switch, E-sigarett, trådløs lader, motorer, droner, medisinsk, billader, kontroller, digitale produkter, Små hvitevarer, forbrukerelektronikk.

tilsvarende materialnummer

AOS AON6411,NIKO PK5A7BA

Viktige parametere

Symbol	Parameter	Vurdering		Enheter
Symbol	Parameter	10s	Steady State	Enheter
VDS	Drain-Source Spenning	-20		V
VGS	Gate-kilde spenning	±10		V
ID@TC=25℃	Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ -10V1	-120		A
ID@TC=100℃	Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ -10V1	-69,5		A
ID@TA=25℃	Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ -10V1	-25	-22	A
ID@TA=70℃	Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ -10V1	-24	-18	A
IDM	Pulserende dreneringsstrøm2	-340		A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy3	300		mJ
IAS	Skredstrøm	-36		A
PD@TC=25℃	Totalt krafttap 4	130		W
PD@TA=25℃	Totalt krafttap 4	6.8	6,25	W
TSTG	Lagringstemperaturområde	-55 til 150		℃
TJ	Driftskryss temperaturområde	-55 til 150		℃

Symbol	Parameter	Forhold	Min.	Typ.	Maks.	Enhet
BVDS	Drain-Source Breakdown Spenning	VGS=0V, ID=-250uA	-20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS temperaturkoeffisient	Referanse til 25 ℃, ID=-1mA	---	-0,0212	---	V/℃
RDS(PÅ)	Statisk avløpskilde ved motstand2	VGS=-4,5V, ID=-20A	---	2.1	2.7	mΩ
RDS(PÅ)	Statisk avløpskilde ved motstand2					mΩ
		VGS=-2,5V, ID=-20A	---	2.8	3.7
VGS(th)	Gateterskelspenning	VGS=VDS, ID =-250uA	-0,4	-0,6	-1,0	V
		VGS=VDS, ID =-250uA
△VGS(th)	VGS(th) temperaturkoeffisient		---	4.8	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source Lekkasjestrøm	VDS=-20V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	-1	uA
IDSS	Drain-Source Lekkasjestrøm					uA
		VDS=-20V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	-6
IGSS	Gate-kilde lekkasjestrøm	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Forovertranskonduktans	VDS=-5V, ID=-20A	---	100	---	S
Rg	Portmotstand	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	2	5	Ω
Qg	Total portlading (-4,5V)	VDS=-10V, VGS=-4,5V, ID=-20A	---	100	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	21	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	32	---
Td(på)	Slå-på-forsinkelsestid	VDD=-10V , VGEN=-4,5V , RG=3Ω ID=-1A,RL=0,5Ω	---	20	---	ns
Tr	Oppgangstid		---	50	---
Td(av)	Utstengingstid		---	100	---
Tf	Høsttid		---	40	---
Ciss	Inngangskapasitans	VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz	---	4950	---	pF
Coss	Utgangskapasitans		---	380	---
Crss	Omvendt overføringskapasitans		---	290	---