WSD2090DN56 N-kanal 20V 80A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET
Generell beskrivelse
WSD2090DN56 er N-Ch MOSFET med høyest ytelse med ekstrem høy celletetthet, som gir utmerket RDSON- og portlading for de fleste applikasjoner for synkrone buck-omformere.WSD2090DN56 oppfyller RoHS- og grøntproduktkravet 100 % EAS-garantert med full funksjonspålitelighet godkjent.
Egenskaper
Avansert trench-teknologi med høy celletetthet, Super Low Gate Charge, Utmerket CdV / dt-effektnedgang, 100 % EAS-garantert, Grønn enhet tilgjengelig
applikasjoner
Switch, Power System, Load Switch, elektroniske sigaretter, droner, elektriske verktøy, fascia våpen, PD, små husholdningsapparater, etc.
tilsvarende materialnummer
AOS AON6572
Viktige parametere
Absolutte maksimale vurderinger (TC=25℃ med mindre annet er angitt)
| Symbol | Parameter | Maks. | Enheter |
| VDSS | Drain-Source Spenning | 20 | V |
| VGSS | Gate-kilde spenning | ±12 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ 10V1 | 80 | A |
| ID@TC=100℃ | Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS @ 10V1 | 59 | A |
| IDM | Pulserende avløp Gjeldende note1 | 360 | A |
| EAS | Single Pulsed Avalanche Energy note2 | 110 | mJ |
| PD | Kraftspredning | 81 | W |
| RθJA | Termisk motstand, kobling til kasse | 65 | ℃/W |
| RθJC | Termisk motstand Junction-Case 1 | 4 | ℃/W |
| TJ, TSTG | Drifts- og lagringstemperaturområde | -55 til +175 | ℃ |
Elektriske egenskaper (TJ=25 ℃, med mindre annet er angitt)
| Symbol | Parameter | Forhold | Min | Typ | Maks | Enheter |
| BVDS | Drain-Source Breakdown Spenning | VGS=0V, ID=250μA | 20 | 24 | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS temperaturkoeffisient | Referanse til 25 ℃, ID=1mA | --- | 0,018 | --- | V/℃ |
| VGS(th) | Gateterskelspenning | VDS= VGS, ID=250μA | 0,50 | 0,65 | 1.0 | V |
| RDS(PÅ) | Statisk avløpskilde på-motstand | VGS=4,5V, ID=30A | --- | 2.8 | 4.0 | mΩ |
| RDS(PÅ) | Statisk avløpskilde på-motstand | VGS=2,5V, ID=20A | --- | 4.0 | 6.0 | |
| IDSS | Nullportspenning Drain Current | VDS=20V, VGS=0V | --- | --- | 1 | μA |
| IGSS | Lekkasjestrøm ved port-kropp | VGS=±10V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Ciss | Inngangskapasitans | VDS=10V,VGS=0V,f=1MHZ | --- | 3200 | --- | pF |
| Coss | Utgangskapasitans | --- | 460 | --- | ||
| Crss | Omvendt overføringskapasitans | --- | 446 | --- | ||
| Qg | Total portlading | VGS=4,5V,VDS=10V,ID=30A | --- | 11.05 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 1,73 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 3.1 | --- | ||
| tD(på) | Slå på forsinkelsestid | VGS=4,5V, VDS=10V, ID=30ARGEN=1,8Ω | --- | 9.7 | --- | ns |
| tr | Slå på stigetid | --- | 37 | --- | ||
| tD(av) | Utstengingstid | --- | 63 | --- | ||
| tf | Slå av høsttid | --- | 52 | --- | ||
| VSD | Diode fremoverspenning | IS=7,6A,VGS=0V | --- | --- | 1.2 | V |
Skriv din melding her og send den til oss
