WSD100N15DN56G N-kanal 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktoversikt
Spenningen til WSD100N15DN56G MOSFET er 150V, strømmen er 100A, motstanden er 6mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET bruksområder
Medisinske strømforsyninger MOSFET, PDs MOSFET, droner MOSFET, elektroniske sigaretter MOSFET, store apparater MOSFET og elektroverktøy MOSFET.
MOSFET-parametere
| Symbol | Parameter | Vurdering | Enheter |
| VDS | Drain-Source Spenning | 150 | V |
| VGS | Gate-kilde spenning | ±20 | V |
| ID | Kontinuerlig avløpsstrøm, VGS@ 10V(TC=25℃) | 100 | A |
| IDM | Pulserende dreneringsstrøm | 360 | A |
| EAS | Single Pulse Avalanche Energy | 400 | mJ |
| PD | Totalt kraftforbruk...C=25℃) | 160 | W |
| RθJA | Termisk motstand, junction-ambient | 62 | ℃/W |
| RθJC | Termisk motstand, koblingshus | 0,78 | ℃/W |
| TSTG | Lagringstemperaturområde | -55 til 175 | ℃ |
| TJ | Driftskryss temperaturområde | -55 til 175 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Forhold | Min. | Typ. | Maks. | Enhet |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Spenning | VGS=0V, ID=250uA | 150 | --- | --- | V |
| RDS(PÅ) | Statisk avløpskilde på-motstand2 | VGS=10V, ID=20A | --- | 9 | 12 | mΩ |
| VGS(th) | Gateterskelspenning | VGS=VDS, jegD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| IDSS | Drain-Source Lekkasjestrøm | VDS=100V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | Gate-kilde lekkasjestrøm | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Total portlading | VDS=50V, VGS=10V, ID=20A | --- | 66 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 26 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 18 | --- | ||
| Td(på) | Slå-på-forsinkelsestid | VDD=50V ,VGS=10V RG=2Ω, ID=20A | --- | 37 | --- | ns |
| Tr | Oppgangstid | --- | 98 | --- | ||
| Td(av) | Utstengingstid | --- | 55 | --- | ||
| Tf | Høsttid | --- | 20 | --- | ||
| Ciss | Inngangskapasitans | VDS=30V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 5450 | --- | pF |
| Coss | Utgangskapasitans | --- | 1730 | --- | ||
| Crss | Omvendt overføringskapasitans | --- | 195 | --- |
