WSD100N06GDN56 N-kanal 60V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktoversikt
Spenningen til WSD100N06GDN56 MOSFET er 60V, strømmen er 100A, motstanden er 3mΩ, kanalen er N-kanal, og pakken er DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET bruksområder
Medisinske strømforsyninger MOSFET, PDs MOSFET, droner MOSFET, elektroniske sigaretter MOSFET, store apparater MOSFET og elektroverktøy MOSFET.
WINSOK MOSFET tilsvarer andre merkevarenummer
AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL13N6F7,STL14N6F7.PANJIT MOSFET PSMQC33N6NS1.POTENS Semiconductor MOSFXET PDC69.
MOSFET-parametere
| Symbol | Parameter | Vurdering | Enheter | ||
| VDS | Drain-Source Spenning | 60 | V | ||
| VGS | Gate-kilde spenning | ±20 | V | ||
| ID1,6 | Kontinuerlig dreneringsstrøm | TC=25°C | 100 | A | |
| TC=100°C | 65 | ||||
| IDM2 | Pulserende dreneringsstrøm | TC=25°C | 240 | A | |
| PD | Maksimal effekttap | TC=25°C | 83 | W | |
| TC=100°C | 50 | ||||
| IAS | Skredstrøm, Enkel puls | 45 | A | ||
| EAS3 | Single Pulse Avalanche Energy | 101 | mJ | ||
| TJ | Maksimal krysstemperatur | 150 | ℃ | ||
| TSTG | Lagringstemperaturområde | -55 til 150 | ℃ | ||
| RθJA1 | Termisk motstandsforbindelse til omgivelsene | Steady State | 55 | ℃/W | |
| RθJC1 | Termisk motstand-forbindelse til kasse | Steady State | 1.5 | ℃/W | |
| Symbol | Parameter | Forhold | Min. | Typ. | Maks. | Enhet | |
| Statisk | |||||||
| V(BR)DSS | Drain-Source Breakdown Spenning | VGS = 0V, ID = 250μA | 60 | V | |||
| IDSS | Nullportspenning Drain Current | VDS = 48 V, VGS = 0 V | 1 | µA | |||
| TJ=85°C | 30 | ||||||
| IGSS | Gatelekkasjestrøm | VGS = ±20V, VDS = 0V | ±100 | nA | |||
| Om kjennetegn | |||||||
| VGS(TH) | Gateterskelspenning | VGS = VDS, IDS = 250 µA | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V | |
| RDS(på)2 | Drain-Source On-State Resistance | VGS = 10V, ID = 20A | 3.0 | 3.6 | mΩ | ||
| VGS = 4,5V, ID = 15A | 4.4 | 5.4 | mΩ | ||||
| Bytter | |||||||
| Qg | Total portlading | VDS=30V VGS=10V ID=20A | 58 | nC | |||
| Qgs | Gate-Sour Charge | 16 | nC | ||||
| Qgd | Gate-Drain Charge | 4.0 | nC | ||||
| td (på) | Slå på forsinkelsestid | VGEN=10V VDD=30V ID=20A RG=Ω | 18 | ns | |||
| tr | Slå på stigetid | 8 | ns | ||||
| td (av) | Utstengingstid | 50 | ns | ||||
| tf | Slå av høsttid | 11 | ns | ||||
| Rg | Gat motstand | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | 0,7 | Ω | |||
| Dynamisk | |||||||
| Ciss | I kapasitans | VGS=0V VDS=30V f=1MHz | 3458 | pF | |||
| Coss | Ut Kapasitans | 1522 | pF | ||||
| Crss | Omvendt overføringskapasitans | 22 | pF | ||||
| Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings | |||||||
| IS1,5 | Kontinuerlig kildestrøm | VG=VD=0V , kraftstrøm | 55 | A | |||
| ISM | Pulserende kildestrøm3 | 240 | A | ||||
| VSD2 | Diode fremoverspenning | ISD = 1A, VGS=0V | 0,8 | 1.3 | V | ||
| trr | Omvendt gjenopprettingstid | ISD=20A, dlSD/dt=100A/µs | 27 | ns | |||
| Qrr | Reverse Recovery Charge | 33 | nC | ||||
