Hurtigladeteknologi, som en kjernedel av moderne elektronisk utstyr, utvikler seg og utvikler seg raskt. Drevet av hurtiglademarkedet, krever bransjer som smarttelefoner og elektriske kjøretøy i økende grad raske og effektive ladeløsninger. Innovasjon innen hurtigladeteknologi fokuserer ikke bare på å forbedre ladehastigheten, men legger også vekt på sikkerhet. Med blikket mot fremtiden vil hurtigladeteknologi kombineres med trådløs lading og mer effektiv batteriteknologi for å oppnå et kvalitativt sprang og gi brukerne en mer praktisk og miljøvennlig ladeopplevelse. Med utviklingen av teknologi og utvidelsen av markedet forventes hurtigladeindustrien å fortsette å opprettholde rask vekst.
Når vi snakker om anvendelsen avMOSFETi hurtigladeteknologi er det faktisk flere hodepine.
Først av alt, fordi hurtiglading krever stor strøm, er denMOSFETvil varme opp veldig mye, og hvordan man skal håndtere denne varmen blir et stort problem. Så er det også effektivitetsutfordringer. Når du bytter raskt, mister MOSFET lett deler av energien, noe som påvirker ladeeffektiviteten. I tillegg håper hurtigladeutstyr å være så lite som mulig, men dette krever at MOSFET er liten og også håndtere varmeproblemet. Fordi MOSFET bytter raskt, kan det forstyrre annet elektronisk utstyr, noe som også er et problem. Til slutt har hurtiglademiljøet høye krav til tålespenningen og strømmen til MOSFET-er, noe som er en test for ytelsen. Arbeid i dette miljøet over lang tid kan også påvirke deres levetid og pålitelighet. Kort sagt, selv om MOSFET er kritisk for hurtiglading, står den overfor mange utfordringer.
WINSOKMOSFET kan kanskje hjelpe deg med å løse problemene ovenfor. De viktigste applikasjonsmodellene til WINSOK MOSFET i hurtiglading er:
| Delenummer | Konfigurasjon | Type | VDS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Pakke | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | Maks. | Min. | Typ. | Maks. | Typ. | Maks. | (pF) | ||||
| Enkelt | N-Ch | 30 | 50 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 6.7 | 8.5 | 1200 | DFN3X3-8 | |
| Enkelt | P-Ch | -30 | -40 | -1.3 | -1.8 | -2.3 | 11 | 14 | 1380 | DFN3X3-8 | |
| Enkelt | N-Ch | 60 | 18 | 1 | 2 | 3 | 7 | 9 | 3760 | SOP-8 | |
| Enkelt | N-Ch | 100 | 16 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 8.9 | 11 | 4000 | SOP-8 | |
| Enkelt | P-Ch | -30 | -8.2 | -1,5 | -2 | -2,5 | 16 | 20 | 2050 | SOP-8 | |
| Enkelt | P-Ch | -30 | -13 | -1.2 | -2 | -2,5 | 9.6 | 15 | 1550 | SOP-8 | |
| N+P | N-Ch | 30 | 7 | 1 | 1.5 | 2.5 | 18 | 28 | 550 | SOP-8 | |
| P-Ch | -30 | -6 | -1 | -1,5 | -2,5 | 30 | 38 | 645 | |||
| Enkelt | N-Ch | 100 | 85 | 2 | 3 | 4 | 10 | 13 | 2100 | TIL-220 | |
Andre merkematerialenumre som tilsvarer WINSOK MOSFET ovenfor er:
De korresponderende materialnumrene til WINSOK MOSFET WSD3050DN er:AOS AON7318,AON7418,AON7428,AON7440,AON7520,AON7528,AON7544,AON7542.Onsemi,FAIRCHILD NTTFS4939A.4939N 8-30MLC.TOSHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P.NIKO- SEM PE5G6EA.
De tilsvarende materialnumrene til WINSOK MOSFET WSD30L40DN er:AOS AON7405,AONR21357,AON7403,AONR21305C.ST Microelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEM P12037BA, P1203EEA.
De tilsvarende materialnumrene til WINSOK MOSFET WSP6020 er:AOS AO4262E,AO4264E,AO4268.Onsemi,FAIRCHILD FDS86450.PANJIT PJL9436.NIKO-SEM P0706BV.Potens Semiconductor- PDS69.
De tilsvarende materialnumrene til WINSOK MOSFET WSP16N10 er:AOS AO4290,AO4290A,AO4294,AO4296.VISHAY Si4190ADY.Potens Semiconductor PDS0960.DINTEK ELECTRONICS DTM1012.
De korresponderende materialnumrene til WINSOK MOSFET WSP4435 er:AOS AO4335,AO4403,AO4405,AO4411,AO4419,AO4435,AO4449,AO4459,AO4803,AO4803A,A4O481A,4O481A,A5O481A,Asemi ,FDS6685.VISHAY Si4431CDY.ST Mikroelektronikk STS10P3LLH6,STS5P3LLH6 ,STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.DINTEK ELECTRONICS DTM4435.DTM4435.
De korresponderende materialnumrene til WINSOK MOSFET WSP4407 er:AOS AO4407,AO4407A,AOSP21321,AOSP21307.Onsemi,FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.ST Microelectronics STS10PHLL,3SHLL,3SHLL,3SHLL,3SHLL,3SHLL,3SHLL,3SHLL, H6.TOSHIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA ,P1003EVG.Potens Semiconductor PDS4903.DINTEK ELECTRONICS DTM4407,DTM4415,DTM4417.
De korresponderende materialnumrene til WINSOK MOSFET WSP4606 er:AOS AO4606,AO4630,AO4620,AO4924,AO4627,AO4629,AO4616.Onsemi,FAIRCHILD ECH8661,FDS8958A.JSMIT.6DJ1S6DJ4DJ4DJ4DJ4S 901CSK.NIKO-SEM P5003QVG.Potens Semiconductor PDS3710. DINTEK ELECTRONICS DTM4606, DTM4606BD, DTM4606BDY.
De korresponderende materialnumrene til WINSOK MOSFET WSR80N10 er:AOS AOTF290L.Onsemi,FAIRCHILD FDP365IU.ST Microelectronics STP80N10F7.Nxperian PSMN9R5-100PS.INFINEON,IR IPP086N10PN06 G.10PN3 G.10PN3 G PS.TOSHIBA TK100E08N1,TK100A08N1.Potens Semiconductor PDP0966.
Innleggstid: 28. november 2023
